20周年版iPhone疯狂堆料

具体来说，HBM采用TSV工艺进行3D堆叠，有效提升带宽，实现更高的集成度，通过与处理器相同的“Interposer”中间介质层与计算芯片实现紧凑连接，一方面既节省了芯片面积，另一方面又显著减少了数据传输时间。

报道称苹果已与三星电子和SK海力士等主要内存供应商讨论该计划，三星正在开发名为VCS的封装方案，而SK海力士则采用VFO技术，两家公司都计划在2026年后量产。

不过移动HBM面临诸多挑战，一是制造成本远高于现有的LPDDR内存，二是iPhone是一款轻薄设备，散热是一项重要挑战；三是3D堆叠和TSV工艺采用高度复杂的封装工艺，良率也是一大挑战。

若苹果在2027年iPhone产品线中采用这项技术，这将成为20周年纪念机型的又一创新之举，传闻这款里程碑产品还将配备完全无边框的显示屏，展现苹果在智能手机领域持续突破的决心。